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HY57V281620HCLT-8產(chǎn)品參數(shù)
型號(hào):HY57V281620HCLT-8
生命周期：Obsolete
零件包裝代碼：TSOP2
包裝說(shuō)明：TSOP2, TSOP54,.46,32
針數(shù)：54
Reach Compliance Code：unknown
ECCN代碼：EAR99
HTS代碼：8542.32.00.02
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)：5.39
訪問(wèn)模式：FOUR BANK PAGE BURST
最長(zhǎng)訪問(wèn)時(shí)間：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大時(shí)鐘頻率 (fCLK)：125 MHz
I/O 類型：COMMON
交錯(cuò)的突發(fā)長(zhǎng)度：1,2,4,8
JESD-30 代碼：R-PDSO-G54
JESD-609代碼：e6
長(zhǎng)度：22.238 mm
內(nèi)存密度：134217728 bit
內(nèi)存集成電路類型：SYNCHRONOUS DRAM
內(nèi)存寬度：16
功能數(shù)量：1
端口數(shù)量：1
端子數(shù)量：54
字?jǐn)?shù)：8388608 words
字?jǐn)?shù)代碼：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作溫度：70 °C
最低工作溫度：
組織：8MX16
輸出特性：3-STATE
封裝主體材料：PLASTIC/EPOXY
封裝代碼：TSOP2
封裝等效代碼：TSOP54,.46,32
封裝形狀：RECTANGULAR
封裝形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
電源：3.3 V
認(rèn)證狀態(tài)：Not Qualified
刷新周期：4096
座面最大高度：1.194 mm
自我刷新：YES
連續(xù)突發(fā)長(zhǎng)度：1,2,4,8,FP
最大待機(jī)電流：0.001 A
子類別：DRAMs
最大壓擺率：0.2 mA
最大供電電壓 (Vsup)：3.6 V
最小供電電壓 (Vsup)：3 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)：3.3 V
表面貼裝：YES
技術(shù)：CMOS
溫度等級(jí)：COMMERCIAL
端子面層：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING
端子節(jié)距：0.8 mm
端子位置：DUAL
寬度：10.16 mm
Base Number Matches：1
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