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  • 深圳市旺能芯科技有限公司

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  • 北京首天國際有限公司

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

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HY57V283220TP-P產(chǎn)品參數(shù)
型號:HY57V283220TP-P
是否Rohs認證： 符合
生命周期：Obsolete
零件包裝代碼：TSOP2
包裝說明：TSSOP, TSSOP86,.46,20
針數(shù)：86
Reach Compliance Code：unknown
ECCN代碼：EAR99
HTS代碼：8542.32.00.02
風險等級：5.83
訪問模式：FOUR BANK PAGE BURST
最長訪問時間：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大時鐘頻率 (fCLK)：100 MHz
I/O 類型：COMMON
交錯的突發(fā)長度：1,2,4,8
JESD-30 代碼：R-PDSO-G86
JESD-609代碼：e6
長度：22.238 mm
內(nèi)存密度：134217728 bit
內(nèi)存集成電路類型：SYNCHRONOUS DRAM
內(nèi)存寬度：32
功能數(shù)量：1
端口數(shù)量：1
端子數(shù)量：86
字數(shù)：4194304 words
字數(shù)代碼：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作溫度：70 °C
最低工作溫度：
組織：4MX32
輸出特性：3-STATE
封裝主體材料：PLASTIC/EPOXY
封裝代碼：TSSOP
封裝等效代碼：TSSOP86,.46,20
封裝形狀：RECTANGULAR
封裝形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）：260
電源：3.3 V
認證狀態(tài)：Not Qualified
刷新周期：4096
座面最大高度：1.194 mm
自我刷新：YES
連續(xù)突發(fā)長度：1,2,4,8,FP
最大待機電流：0.001 A
子類別：DRAMs
最大壓擺率：0.13 mA
最大供電電壓 (Vsup)：3.6 V
最小供電電壓 (Vsup)：3 V
標稱供電電壓 (Vsup)：3.3 V
表面貼裝：YES
技術(shù)：CMOS
溫度等級：COMMERCIAL
端子面層：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING
端子節(jié)距：0.5 mm
端子位置：DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間：20
寬度：10.16 mm
Base Number Matches：1
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