英飛凌模塊

英飛凌IGBT命名規(guī)則

-Simens／EUPECIGBT命名系統(tǒng)：

Simens／EUPECIGBT各型號(hào)中所指電流都是在Tc＝80℃時(shí)的標(biāo)稱，有些公司的IGBT是Tc＝25℃的標(biāo)稱，敬請(qǐng)廣大用戶注意！

BSM100GB120DN2K

BSM---帶反并聯(lián)續(xù)流二極管（F.W.D）的IGBT模塊

BYM---二極管模塊

100---Tc＝80℃時(shí)的額定電流

GA------單元模塊

GB-------兩單元模塊（半橋模塊）

GD----六單元模塊

GT---三單元模塊

GP--七單元模塊（功率集成模塊）

GAL-------斬波模塊（斬波二極管靠近集電極）

GAR-------斬波模塊（斬波二極管靠近發(fā)射極）

120----額定電壓x10

DL------低飽和壓降

DN2----高頻型

DLC----帶（EmCon）二極管的低飽和壓降

BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統(tǒng)。西門子IGBT模塊歸入 EUPEC后，EUPEC標(biāo)準(zhǔn)系列IGBT模塊仍沿用西門子型號(hào)編制系統(tǒng)。但EUPEC原側(cè)重生產(chǎn)人功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM＆IHV 系列IGBT模塊有其自身的命名系統(tǒng)，EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司后，所有IGBT模塊均按 EUPEC IGBT命名系統(tǒng)來命名.

二 Simens／EUPEC SCR 命名系統(tǒng)：

T930N18TMC

T--晶閘管

D--二極管

930---平均電流

0---標(biāo)準(zhǔn)陶瓷圓盤封裝

1--大功率圓盤

4--厚19mm

6--厚35mm

7--厚08mm

8--厚14mm

9--厚26mm

3--光觸發(fā)型

N--相控器件

F--居中門極型快速晶閘管

S--門極分布式快速晶閘管二極管

18--耐壓x100

B---引線型

C----焊針型

E--平板式

T--圓盤式

M--關(guān)斷時(shí)間（A、B、C、D等表示關(guān)斷時(shí)間）

C----關(guān)斷電壓斜率（B、C、F等）

TT430N 22KOF

TT--雙晶閘管結(jié)構(gòu)

DD--雙二極管結(jié)構(gòu)

TD/DT---一個(gè)二極管＆一個(gè)晶閘管

430---平均電流

N--相控器件

F--居中門極型快速晶閘管

S---陰極交錯(cuò)式快速晶閘管

22---耐壓x100

K---模塊

O---關(guān)斷時(shí)間

F----斷電壓斜率

FF400R12KE3

FZ---單元模塊

FF--兩單元模塊（半橋模塊）

FP--七單元模塊（功率集成模塊）

FD/DF---斬波模塊

F4---四單元模塊

FS--六單元模塊

DD---二極管模塊

400--Tc＝80℃時(shí)的額定電流

R-----逆導(dǎo)型

S---快速二極管

12--額定電壓x100

KF----高頻型（主要在大模塊上使用）

KL--------低飽和壓降（主要在大模塊上使用）

KS-------短拖尾高頻型

KE-------低飽和壓降

KT--------低飽和壓降高頻型