CCM90N4-C(高Vth) cloudchild 云潼40V MOS管 功率晶體管
發(fā)布日期:2025-02-11CCM90N4-C(高Vth) cloudchild 云潼40V MOS管 功率晶體管
產品說明:CCM90N4-C(高Vth) cloudchild 云潼 40V MOS管 功率晶體管
在現代電子產品的設計與應用中,功率晶體管作為關鍵的組件之一,對電子產品的性能和效率有著至關重要的影響。深圳市奧偉斯科技有限公司專注于提供高品質的電子組件,而我們的CCM90N4-C(高Vth)cloudchild 云潼 40V MOS管功率晶體管正是其中的佼佼者。本產品以其優(yōu)越的性能參數和廣泛的應用領域,成為電子工程師和設計師的優(yōu)選。
產品功能
CCM90N4-C(高Vth)云潼 40V MOS管是一種高負載能力的MOSFET,專為高電壓、高效率的應用場景設計。其最大特點在于具備高閾值電壓(Vth),使其在多種應用條件下都能保持良好的開關性能。無論是在電源管理、LED驅動、開關電源電路,還是電機驅動等領域,CCM90N4-C均能提供卓越的性能。
此外,該MOS管的設計考慮到了散熱性能,通過優(yōu)化的內部結構,可以有效降低開關損耗和導通損耗,使得整個電路更加高效。尤其是在高頻操作的環(huán)境下,其穩(wěn)定的性能保證了系統(tǒng)整體的可靠性。這使得CCM90N4-C成為了眾多電子應用的理想選擇。
性能參數
CCM90N4-C作為高Vth的功率晶體管,其卓越的性能參數可為設計師提供強大的支持。產品的主要參數包括:
- 最大漏極源極電壓(Vds):該產品的最大Vds達到了40V,適用于多種高電壓環(huán)境,對于承受高壓沖擊的能力顯著提升。
- 最大漏極電流(Id):其最大漏極電流可達90A,能夠支持高負載的電子設備,為設計提供了更大的靈活性。
- 閾值電壓(Vth):高閾值電壓的設計提高了其在關斷狀態(tài)時的穩(wěn)定性,提升了電路的整體效率。
- 導通電阻(Rds(on)):CCM90N4-C的導通電阻極低,在相同電流的情況下,表現出了更低的功耗,進一步增強了效率。
- 開關速度(Qg):具有較快的開關速度,有利于在高頻應用中保持效率和功率密度。
這些參數確保CCM90N4-C可以在廣泛的工作環(huán)境中安全運行,并且降低了設計中可能出現的熱管理問題,從而提升了終端產品的可靠性。
應用領域
CCM90N4-C(高Vth)云潼 40V MOS管在多個領域均能找到其身影。它適合廣泛的應用,包括但不限于:
- 電源轉換器:在開關電源和DC-DC轉換器中應用廣泛,確保高效能的電源管理。
- LED驅動電路:因其低導通電阻,非常適合用作LED驅動器,提供穩(wěn)定的電流輸出。
- 電機控制:在電機驅動、伺服控制等場合,能提供強勁的驅動能力,且具備良好的動態(tài)響應特性。
- 便攜式設備:在各種便攜式充電器和移動電源中,提供穩(wěn)定的電能輸出,滿足現代社會對便攜式裝備的需求。
- 高頻轉換應用:對于需要高頻率開關的應用(如RF放大器),CCM90N4-C能保持優(yōu)越的傳輸效率。
購買指南
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