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HY27UF082G2A-TPIB產(chǎn)品參數(shù)
型號:HY27UF082G2A-TPIB
是否無鉛: 不含鉛
是否Rohs認證: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包裝代碼:TSOP1
包裝說明:TSSOP, TSSOP48,.8,20
針數(shù):48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代碼:3A991.B.1.A
HTS代碼:8542.32.00.51
風險等級:5.82
最長訪問時間:30 ns
命令用戶界面:YES
數(shù)據(jù)輪詢:NO
JESD-30 代碼:R-PDSO-G48
JESD-609代碼:e6
長度:18.4 mm
內(nèi)存密度:2147483648 bit
內(nèi)存集成電路類型:FLASH
內(nèi)存寬度:8
功能數(shù)量:1
部門數(shù)/規(guī)模:2K
端子數(shù)量:48
字數(shù):268435456 words
字數(shù)代碼:256000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作溫度:85 °C
最低工作溫度:-40 °C
組織:256MX8
封裝主體材料:PLASTIC/EPOXY
封裝代碼:TSSOP
封裝等效代碼:TSSOP48,.8,20
封裝形狀:RECTANGULAR
封裝形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
頁面大?。?/td>2K words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流溫度(攝氏度):260
電源:3.3 V
編程電壓:3.3 V
認證狀態(tài):Not Qualified
就緒/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部門規(guī)模:128K
最大待機電流:0.00005 A
子類別:Flash Memories
最大壓擺率:0.03 mA
最大供電電壓 (Vsup):3.6 V
最小供電電壓 (Vsup):2.7 V
標稱供電電壓 (Vsup):3 V
表面貼裝:YES
技術(shù):CMOS
溫度等級:INDUSTRIAL
端子面層:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING
端子節(jié)距:0.5 mm
端子位置:DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間:20
切換位:NO
類型:SLC NAND TYPE
寬度:12 mm
Base Number Matches:1
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